SK海力士计划在印第安纳州投资40亿美元建先进封装厂

据最新消息透露，韩国芯片制造巨头SK海力士计划在美国印第安纳州西拉法叶（West Lafayette）投资40亿美元兴建一座先进的芯片封装厂，预计于2028年投入运营。这一举措旨在提升SK海力士在芯片封装领域的能力，尤其是对于高带宽记忆体（HBM）的制造而言，具有重要意义。预计该工厂将创造多达1,000个工作岗位，并可能获得州和联邦税收减免的支持。

SK海力士的这一投资计划是对其在美国扩展业务的重要举措之一。据悉，该公司正在审查在美国进行先进芯片封装投资的可能性，但目前尚未做出最终决定。此前，SK海力士曾承诺通过研发项目和在美国建立先进封装和测试工厂，向半导体产业投资150亿美元，而这次40亿美元的投资是其承诺的一部分。

SK海力士近期开始批量生产用于人工智能（AI）服务器的下一代高带宽内存（HBM）芯片，这也凸显了封装工艺在HBM生产中的重要性。目前，SK海力士在HBM市场上占据主导地位，市值也在不断增长，使其成为韩国市值规模第二大的公司。

考虑到该工厂建设的资本支出可能高达40亿美元，政府的支持显得尤为重要。美国政府最近通过了芯片法案，拨出了数十亿美元用于扩大国内半导体产业，而SK海力士在印第安纳州建厂的计划则被视为对美国半导体产业发展的重大推动。

SK海力士的工厂预计将位于普渡大学附近，这也是一个有利的因素，因为普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程专业的所在地之一，可以为该工厂提供丰富的技术人才资源。

虽然目前尚未最终确定建厂计划，但据知情人士透露，SK海力士董事会预计很快将就此事进行投票，以完成最终决定。这一举措不仅将促进SK海力士在美国的业务扩张，还将为当地经济发展和技术创新带来积极影响。

*免责声明：以上内容整理自网络，仅供交流学习之用。如有内容、版权问题，请留言与我们联系进行删除。