氮化镓芯片商英诺赛科考虑赴港IPO，与中金、招银国际进行合作

据路透社旗下IFR报道，中国氮化镓(GaN)芯片制造商英诺赛科(Innoscience)正考虑最早今年来香港进行IPO，融资规模约3亿美元。报道指英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。

综合 | 路透社 智通财经 公开资料

编辑 | Echo

本文仅为信息交流之用，不构成任何交易建议

英诺赛科于2015年成立，设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。

目前，英诺赛科拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能达到每月1.5万片，并将逐渐扩大至每月7万片以上。

据介绍，英诺赛科已经成为氮化镓快充芯片龙头，还推出全球首颗进入手机的氮化镓芯片并实现客户端量产，另外氮化镓产品已经应用于笔记本电脑、智能音响、数据中心、激光雷达、新能源与储能等领域。

拒公开资料，英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成，均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。

此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。

英诺赛科官网显示，公司拥有先进的光刻技术，能生产线宽较小的器件，从而显著提升器件的性能。公司为客户提供一站式服务，能满足客户对高压、低压的各种需求。大规模量产能力及8英寸先进生产工艺，能确保器件的稳定供应及合理价格。这些都是保障氮化镓能够大规模商业化应用的必要条件。

同时，英诺赛科持续创新与提升技术，保证公司始终走在氮化镓领域的前沿。公司已经拥有完整的技术路线图，能满足客户不同应用方向的不同需求，同时也能针对客户的特殊需求定制解决方案。

迄今为止，英诺赛科器件出货已超百万颗，因器件性能或可靠性问题的返厂率为0%。这再一次证明英诺赛科器件的卓越性能。

据英诺赛科官网资料，其投资者包括招银国际、韩企SK集团、Arm、宁德时代等世界级投资方。

根据天眼查资料显示，英诺赛科其他投资者可能还包括东方国资、珠海高新投、华业天成资本、中平资本、国民创投、钛信资本、永刚集团、毅达资本、仕富资本、中天汇富、盛裕资本、富坤创投、高鹏资本、金地投资、东科半导体、赛领资本、兴湘集团、海富产业基金、海通创新证券、中国-比利时直接股权投资基金等。