中国光刻机研发历史：在科学的春天活活冻死了

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中国光刻机研发历史：在科学的春天活活冻死了

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。.1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了"造不如买”的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。

放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML和台积电在线如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。进入二十一世纪， 光刻机研发重新被国家所重视，并于2002年成立SMEE，“我们现在做这个东西，难度不亚于生产大飞机，影响力不低于当初研究原子弹。”2002年，刚刚成立的SMEE上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目，中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海，参与这个项目。2008年，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向。国家计划在2030年实现EUV光刻机的国产化；2015年4月，北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审，具备投产条件。2016年，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机。2017年6月21日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。2018年11月29日，中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收。光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。SMEE（上海微电子）计划2021年交付首台国产的28nm的immersion光刻机，和世界上最先进的ASML公司仍然具有20年左右的差距