长鑫存储叩门IPO,合肥又一家千亿级公司正在路上
7月7日,一则来自证监会的备案公告,让长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫存储”)的名字,再次站上风口。这家国产DRAM(动态随机存取存储芯片)领军企业,已正式启动上市辅导,由中金与中信建投联合辅导。
它可能是继中芯国际之后,A股市场五年来最大规模的科技股IPO。

在长达二十余年的时间里,全球DRAM市场如同一块由三星、SK海力士、美光三家韩美巨头焊死的铁板,合计占据超过95%的市场份额。长鑫存储的出现,是第一次有中国企业凭借自身力量,在这块铁板上砸开了一道清晰可见的裂缝。
历史选择了长鑫
在长鑫存储之前,我们对DRAM产业的冲击,是一部跨越三十年、耗资数千亿、漫长而曲折的历史。DRAM技术壁垒之高,一度让人望洋兴叹。
1975年,北京大学物理系便试制出中国第一块1KDRAM,仅比英特尔量产全球首颗DRAM晚五年。然而,从科研到产业化的“最后一公里”,却成了此后数十年无法跨越的天堑。
第一次大规模的尝试是著名的“908工程”。上世纪90年代初,顶层重金支持无锡华晶电子,意图打造中国第一座具备规模的晶圆厂。但直到1997年华晶工程才最终建成投产,技术水平已落后国际主流四到五代,丧失了商业竞争力。不过,相关人才却继续在行业深耕,并成为中国存储产业的一支重要力量。

紧随其后的“909工程”吸取了教训,上海华虹微电子选择了与日本NEC合作的路径,精准定位当时市场需求旺盛的64MbDRAM产品。1999年华虹成功量产并于次年实现盈利,结果由于核心技术完全依赖NEC,2001年后,随着NEC自身战略调整、逐步退出DRAM市场,华虹的DRAM之路也只能被迫画上句号。
再后来的中芯国际,也曾于2004年在北京建成了中国大陆第一座12英寸晶圆厂后,与日本DRAM大厂尔必达签署代工协议。但这段合作同样未能善终,双方很快因商业纠纷对簿公堂,最终导致中芯国际在2008年退出了DRAM代工市场。
三代人的努力,三轮路径的探索,最终都未能在中国本土培育出一棵DRAM产业的幼苗。经验反复证明,DRAM这种资本与技术双重高度密集的产业,需要一种能同时解决天量资本、持续研发、市场通道与战略耐心的难题的全新模式。
历史最终在2016年的合肥给出了答案。长鑫存储的诞生,由“地方政府的战略远见+产业资本的专业能力+企业家的坚定决心”三位一体,合力促成。
故事的一方,是当时已凭借NOR Flash(一种利基型存储芯片)成为全球知名存储龙头的兆易创新及其创始人朱一明。在尝试收购DRAM厂商北京矽成失败后,朱一明决心另起炉灶进攻DRAM。而另一方,正积极谋求产业转型升级、以“最牛风投城市”声名鹊起的安徽合肥,需要一个破局者。两者一拍即合。

合肥以惊人的魄力联合兆易创新,共同发起这个总投资高达180亿元的12英寸DRAM项目。这次联合,完美地解决了历史上的几大难题:
由政府主导的国有资本平台——合肥产投,解决了项目在技术成熟前长达数年的、纯市场化资本无法承受的巨额资金投入问题;
朱一明和兆易创新的团队,为项目注入了最宝贵的产业know-how和市场化运营能力,避免了重蹈“908工程”与市场脱节的覆辙;
协议中约定长鑫存储优先为兆易创新代工,兆易创新则帮助其代销产品,形成了一个初期的商业闭环,解决了产品问世初期的市场通道问题。
在此基础上,长鑫存储展现了惊人的“吸金”能力。
随着技术路径的明确,一个由国家大基金二期、建信投资、中国人寿、小米、阿里、腾讯等组成的,囊括了大量顶级投资力量的“全明星”股东天团陆续入场。仅公开可查的几轮融资,总金额就已接近300亿元,天眼查显示的最近一轮融资是在去年3月,融资金额达108亿元,投前估值超过1400亿元。

“众人拾柴火焰高”的创新资本模式,最终破解了过去三十年中国DRAM产业屡屡折戟的魔咒,也解释了“历史为何选择了长鑫”这一根本问题。
一条完整产业链
长鑫存储叩门IPO之所以引发整个行业的强烈关注,还在于它并非一次孤立的单点突破。在它的身后,一条日渐完整且在多个环节具备全球竞争力的中国存储产业链,正在快速成型。
这条产业链的另一颗“双子星”,是与长鑫并称“国产存储双雄”的长江存储。如果说长鑫主攻的DRAM是信息产业的“临时内存”,那么长江存储聚焦的NAND闪存,则是决定数据存储容量的“硬盘”。
在NAND领域,长江存储的进展甚至更为迅猛。其独创的Xtacking(晶栈)混合键合工艺,被认为是全球首个成功商用的3DNAND技术,能够将产品开发时间缩短至少三个月,生产周期缩短20%。
目前,这项技术已迭代至4.0版本,应用于业界目前已商用化的最高层数——294层3DNAND芯片的量产,并且正在积极推进300层以上技术的开发。这项技术还授权给了三星。

在市场上,长江存储同样表现强劲,2025年第一季度其全球NAND市占率已达到8%,自有品牌“致态(ZhiTai)”在今年的“618”夺下销量与交易额的双料第一,超越了长期的市场霸主三星,获得主流消费市场的认可。
长鑫存储的“伯乐”兆易创新,本身就是NORFlash领域的全球巨头,销售额位居全球第二,仅次于台湾的华邦电子,并且是全球率先实现45nm节点大规模量产的公司之一,持续保持着技术领先。
在EEPROM(一种可擦写可编程只读存储器)这一细分领域,聚辰股份的产品被国家认定为“单项冠军”,在国内处于绝对领先地位。
在连接原厂颗粒与终端市场的模组厂环节,国内的江波龙已然成长为营收规模第一的领军者。江波龙在2017年收购了美光旗下的高端存储品牌Lexar(雷克沙),用两年时间成功切入了对品质和品牌要求更高的高端市场。其附加值更高的企业级SSD营收占比,在2024年已提升至38%。
从DRAM的长鑫,到NAND的长江,再到利基市场的兆易创新、模组环节的江波龙,长鑫存储的IPO,更像是这支日渐成型的“产业军团”吹响的集结号。
未尽的战争
中国存储产业的发展不止于此,上市只是公司迈向更成熟阶段的一个过程。
最紧迫,也是最尖锐的挑战,来自技术的最前沿。AI发展催动HBM(高带宽内存)取代传统DRAM,成为决定AI芯片算力强弱、决定未来数据中心性能的关键。HBM通过3D堆叠技术,将多颗DRAM芯片垂直堆叠,实现了超高的内存带宽,是英伟达等AI巨头GPU中不可或缺的核心部件。

这个战略高地,目前被SK海力士、三星和美光三家巨头完全瓜分,合计占据超过90%的市场份额。据报道,这三家国际巨头2025年的HBM产能,均已被客户抢购一空。
国产存储厂商已具备HBM3底层存储颗粒的量产条件,部分设备公司也拿到了相关的封装设备订单,但从“具备底层能力”到“能够大规模稳定量产出被顶级客户验证和采购的成熟HBM产品”,仍有漫长的路要走。

另一个挑战来自市场和品牌的建设。尽管国产替代大势所趋,但要真正转变为市场用户的自觉选择,需要漫长的时间和信任的积累。国内模组厂商在采购存储颗粒时,采用进口颗粒的比例依然高达80%到90%。目前新的项目则会优先考虑国产颗粒,但占比提升需要时间。
从在消费级市场凭借性价比获得突破,到攻克要求更严苛、利润更丰厚的企业级存储市场,这是一场长征。
长鑫存储的上市,无疑将为其提供充足的“弹药”,所募集的数百亿资金将直接用于技术的深化研发与产能的扩张,同时也将强力带动上游国产设备厂商的共同成长。对于整个产业而言,这更像是一次提示:我们以自主可控为目标的存储军团,正在由成型,到成熟。
来源:松果财经