台积电公布下一代GAAFET、CFET场效应管技术

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在继英特尔公布新的半导体工艺路线图后,台积电也公布下一代GAAFET、CFET场效应管技术。外媒报道:台积电在2023欧洲技术研讨会活动中,展示了下一代半导体架构的路线图,其中最先进的场效应晶体管架构为CFET

据报道,台积电表示该技术已经在实验室中取得了一些进展,但距离规模应用还有较长一段时间。在路线图上,还出现二维晶体管、碳纳米管技术,不过这些技术过于遥远。

台积电高级副总裁Kevin Zhang表示,台积电也正在研究不同的技术方案,有各种技术进行备选,但现阶段无法明确哪种架构会比GAAFET更优秀。他表示,“考虑到FinFET技术已使用了5年时间,那么下一代GAAFET可能也会应用数年,至少会发展几代。至于CFET,能够量产应用的时间将会更长。”

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媒体报道认为:英特尔、台积电先后发布最新的技术架构,显示下一代技术已经有了较为清晰的发展方向。

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